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Si-Planar-Z-Diode; 15 V 0,4 W DO 35; Ur= 15 V 5%; Ptot= 400 mW; Glasgehäuse, Kat
Si-Planar-Z-Diode; 15 V, 1,3 W DO 41; Ur= 15 V 5%; Ptot= 1,3 W; Glasgehäuse, Kat
20 NI Z-Diode; Hersteller unbekannt Ur= 20 V; Ptot= 500 mW; Zenerdiode 20 V, 0,5
BZX 79/C 22; Si-Planar-Z-Diode; Philips; DO 35; Ur= 22 V 5%; Ptot= 500 mW; Glasg
BZX 55 / C 24V Si-Epitax. -Planar-Z-Diode; Normgehäuse, DO 35, 0,5W
BZX 85/C 24V Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 24 V 5%; Ptot= 1,3 W; No
BZX 55/C 33; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 35; Ur= 33 V 5%; Ptot= 500 mW; N
BZX 55/C 36; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 35, Ur= 36 V 5%; Ptot= 500 mW; N
BZX 85/C 3V9; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 3,9 V 5%; Ptot= 1,3 W;
BAY 61 Si-Epitaxial-Planar-Diode, Siemens DO 35; Ur= 75 V; If= 200 mA; Ptot= 400
BB 104 Si-Epitax.-Planar-Kapazitätsdiode 2fach; TFK; SOT 33; Ur= 30 V; If= 100 m
BYT 56 B Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 100 V; If= 1,5 A; Anw: schneller Gl
BYT 56 M Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 50 V; If= 1,5 A; Anw: schneller Gle
BYW 76 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 600 V; If= 3 A; Anmw: schneller Gleic
BYW 56 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 57; Ur= 1000 V; If= 2 A; Anw: Leistungsgleich
BYW 54 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 57; Ur= 600 V; If= 2 A; nw: Leistungsgleichri
BYW 52 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 57; Ur= 200 V; If= 2 A; Anw: Leistungsgleichr
AA 113 Ge-Spitzendiode, TFK; DO 7; Ur= 60 V; If= 25 mA; Anw: in hochohmiger Demo
TV18SL Selen Hochspg.Diode (Stab) Siemens Ur=18kV; Anw: für die Hochspg.i.der Ze
Schlauchklemme von 40 bis 60 mm b=9-12mm verzinkt
DIN: 3017-1
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