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BC161/16 PNP-Planar-Epitax.-Transist. SIE Ucbo=60V;Uceo=60V;Ic=1,0A;Ptot=3,7W;TO
BF961 N-Kanal-Dual Gate MOS-FET - Transistor 20V 0,03A 0,2W TO50
Si-Planar-Z-Diode; 15 V 0,4 W DO 35; Ur= 15 V 5%; Ptot= 400 mW; Glasgehäuse, Kat
BZX 55/C 36; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 35, Ur= 36 V 5%; Ptot= 500 mW; N
BZX 55/C 33; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 35; Ur= 33 V 5%; Ptot= 500 mW; N
BZX 85/C 24V Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 24 V 5%; Ptot= 1,3 W; No
BZX 55 / C 24V Si-Epitax. -Planar-Z-Diode; Normgehäuse, DO 35, 0,5W
BZX 79/C 22; Si-Planar-Z-Diode; Philips; DO 35; Ur= 22 V 5%; Ptot= 500 mW; Glasg
20 NI Z-Diode; Hersteller unbekannt Ur= 20 V; Ptot= 500 mW; Zenerdiode 20 V, 0,5
BZX 85/C 18; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 18 V 5%; Ptot= 1,3 W; No
Si-Planar-Z-Diode; 15 V, 1,3 W DO 41; Ur= 15 V 5%; Ptot= 1,3 W; Glasgehäuse, Kat
BZX 55/C 13; Si-Planar-Z-Diode; Philips; DO 35; Ur= 13 V 5%; Ptot= 500 mW; Glasg
BZX 85/C 12; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 12 V 5%; Ptot= 1,3 W; No
BZX 55/C 9V1; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 35; Ur= 9,1 V 5%; Ptot= 500 mW;
BZX 55/C 7V5; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 35; Ur= 7,5 V 5%; Ptot= 500 mW;
BZX 85/C 6V2, Si-Epitax.-Planar-Z-Diode ITT, DO41, ZPY Ur=6,2 V 5%; Ptot=1,3 W;
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