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Elektronik-Bauteile
BAY 61 Si-Epitaxial-Planar-Diode, Siemens DO 35; Ur= 75 V; If= 200 mA; Ptot= 400
BB 104 Si-Epitax.-Planar-Kapazitätsdiode 2fach; TFK; SOT 33; Ur= 30 V; If= 100 m
BYT 56 B Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 100 V; If= 1,5 A; Anw: schneller Gl
BYT 56 M Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 50 V; If= 1,5 A; Anw: schneller Gle
BYW 76 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 600 V; If= 3 A; Anmw: schneller Gleic
BYW 54 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 57; Ur= 600 V; If= 2 A; nw: Leistungsgleichri
BYW 52 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 57; Ur= 200 V; If= 2 A; Anw: Leistungsgleichr
AA 113 Ge-Spitzendiode, TFK; DO 7; Ur= 60 V; If= 25 mA; Anw: in hochohmiger Demo
TV18SL Selen Hochspg.Diode (Stab) Siemens Ur=18kV; Anw: für die Hochspg.i.der Ze
LED HighPower 1W Weiß 110 ° 350 mA 3.4 V mit Kühlkörper SMT
1577430
BZX 85/C 18; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 18 V 5%; Ptot= 1,3 W; No
ADC0804LCN 8-Bit Analog/Digital-Wandler 1 Eingang SAR
DIP-20
0R0 Widerstand Kohleschicht. 0,25W Tol=5% RM10,0
RKBE000G
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