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Elektronik-Bauteile
BAY 61 Si-Epitaxial-Planar-Diode, Siemens DO 35; Ur= 75 V; If= 200 mA; Ptot= 400
AA 113 Ge-Spitzendiode, TFK; DO 7; Ur= 60 V; If= 25 mA; Anw: in hochohmiger Demo
BB 104 Si-Epitax.-Planar-Kapazitätsdiode 2fach; TFK; SOT 33; Ur= 30 V; If= 100 m
TV18SL Selen Hochspg.Diode (Stab) Siemens Ur=18kV; Anw: für die Hochspg.i.der Ze
BYW 76 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 600 V; If= 3 A; Anmw: schneller Gleic
BYW 54 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 57; Ur= 600 V; If= 2 A; nw: Leistungsgleichri
BYW 52 Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 57; Ur= 200 V; If= 2 A; Anw: Leistungsgleichr
BYT 56 M Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 50 V; If= 1,5 A; Anw: schneller Gle
BYT 56 B Silizium-Mesa-Diode TFK SOD 64; Ur= 100 V; If= 1,5 A; Anw: schneller Gl
1N4007 Si-Diffusions-Diode - DO41 - 1000V 1A - Anw. als Gleichrichter
BPW34 Foto-Pin-Diode Kunststoffg Uo=400mV; Ur=32V; Ik=80uA; Ptot=150mW als
Buchse Ø 2 mm Einbaubuchse 30 VAC/60 VDC / 10 A Schwarz
LB-12R