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2N3585 NPN Bipolarer - Hochvolt - Leistungstransistor 300V 2A 35W TO66
ALLZWECK - PNP - Transistor MPS-A92 Bipolarer - Transistor bis 300V 0,5A 0,625W TO92
MPSA92
BFW92 NPN - Bipolarer - HF - Transistor 15V 0,25A 0,13W TO50
BF423 PNP - Planar - Epitaxial - Hochvolt -Transistor 250V 0,5A 0,8W TO92
BF314 NPN - Planar - Epitaxial -HF- Transistor 30V 0,25A 0,3W TO92
BF310 NPN - Planar - Epitaxial -RF- Transistor 30V 0,25A 0,3W TO92
BF258 NPN Bipolarer - Hochvolt - Leistungstransistor 250V 0,1A 5W TO39
BC307 PNP-Planar-Epitax.-Transistor TFK Uces=50V;Uceo=45V;Ic=0,1A;Ptot=0,3W;TO92
BC178B PNP-Planar-Epitax.-Transist. PHI Uces=30V;Uceo=25V;Ic=0,1A;Ptot=0,3W;TO18
BC177 PNP-Planar-Epitax.-Transistor PHI Ucbo=50V;Uceo=45V;Ic=0,1A;Ptot=0,3W;TO18
BC161/16 PNP-Planar-Epitax.-Transist. SIE Ucbo=60V;Uceo=60V;Ic=1,0A;Ptot=3,7W;TO
BF961 N-Kanal-Dual Gate MOS-FET - Transistor 20V 0,03A 0,2W TO50
BZX 55/C 36; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 35, Ur= 36 V 5%; Ptot= 500 mW; N
BZX 85/C 24V Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 24 V 5%; Ptot= 1,3 W; No
BZX 79/C 22; Si-Planar-Z-Diode; Philips; DO 35; Ur= 22 V 5%; Ptot= 500 mW; Glasg
BZX 85/C 18; Si-Epitax.-Planar-Z-Diode; TFK; DO 41; Ur= 18 V 5%; Ptot= 1,3 W; No
Si-Planar-Z-Diode; 15 V, 1,3 W DO 41; Ur= 15 V 5%; Ptot= 1,3 W; Glasgehäuse, Kat
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